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科研動態

科研進展 | 省科學院半導體所新型顯示團隊在垂直結構Micro-LED顯示芯片轉移和集成方面取得進展

來源: 時間:2022-09-28

  近日,省科學院半導體所新型顯示團隊針對研究開發基于垂直結構Micro-LED的顯示屏幕技術開展了系列創新性研究,取得了進展,相關研究成果發表在半導體器件領域國際知名期刊IEEE Transactions On Electron Devices上。

  顯示行業發展的過程是不斷拔高視覺感官體驗閾值的過程,Micro LED憑借其自發光、高效率、低功耗、高穩定等特性,被譽為“終極顯示技術”,在可穿戴電子器件、戶外顯示和AR/VR頭盔顯示等領域有廣泛的應用前景。然而,現階段 Micro LED 仍存在許多技術瓶頸有待突破,其中利用巨量轉移方式制作Micro-LED顯示屏仍主要采用側向結構Micro-LED芯片,但側向結構在分辨率和發光面積上有所限制。而垂直結構LED器件相比側向結構LED在亮度及發光均勻性上更有優勢,因此研究開發基于垂直結構Micro-LED的顯示屏幕技術有著重要的意義。


可轉移硅基Micro-LED垂直結構芯片制備

  近日,研究人員發展了硅基垂直GaN Micro-LED芯片關鍵工藝,并結合低成本的膠帶輔助巨量轉移技術和低溫金屬鍵合技術,首次制備出基于垂直結構Micro-LED的陰極可單獨尋址的顯示原型器件,經一系列表征結果顯示相關性能優于傳統的側向結構Micro-LED顯示器件。


硅基Micro-LED垂直結構芯片顯示陣列及優于平面結構芯片的相關性能

  相關研究成果以“Transfer Printed, Vertical GaN-on-Silicon Micro-LED Arrays With Individually Addressable Cathodes”為題,在半導體器件領域國際知名期刊IEEE Transactions  On Electron Devices上發表。

  該研究工作得到了國家重點研究計劃項目和廣東省重大專項資金項目的支持。省科學院半導體所新型顯示團隊李長灝、潘章旭為共同第一作者,學科帶頭人龔政教授為通訊作者。

(省科學院半導體研究所/供稿)

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